芯(xīn)片描(miáo)述
芯片特點
○ | 1k×14-bit OTP ROM | ○ | 48×8-bit SRAM | |
○ | 5級堆棧空間 | ○ | 可編程WDT預分頻器(qì) | |
○ | 可編程WDT時間(4.5ms、18ms、72ms、288ms),可控制WDT自由運行時間(jiān) | ○ | 帶信号源選擇、觸發沿選擇以及溢出中斷的8位實時時鍾/計數器(TCC) | |
○ |
工作電壓範圍(wéi):
1.8V~5.5V(-0℃~70℃);2.3V~5.5V(-40℃~85℃) |
○ |
工作頻率範圍(2分頻):
20KHz~10MHz @5V;20KHz~4MHz @3V;20KHz~2MHz @1.8V |
|
○ |
低(dī)功(gōng)耗:
小(xiǎo)于2mA(4MHz/5V) 小于30A(32kHz/3V) 小于1A(睡眠模式,WDT關閉,LVD關(guān)閉) |
○ | 内置RC振蕩電路:455kHz、1MHz、4MHz、8MHz | |
○ | 低壓複位:1.8V±0.3V、1.6V±0.3V @25℃ | ○ | 低壓檢測(可複用爲低壓複位):2.4±0.2V、2.7±0.2V、3.6±0.2V、3.9±0.2V @25℃ | |
○ |
6個中斷源:
外部中(zhōng)斷 PWM中(zhōng)斷 TCC溢出(chū)中斷 LVD中斷(可喚醒(xǐng)) WDT中斷(可喚醒) 輸(shū)入(rù)端口狀态改變産生中斷(可喚醒) |
○ |
雙(shuāng)向I/O口:
11位(wèi)可編(biān)程控制pull-high I/OS(P1<7:4>,P1<2:0>,P0<3:0>) 7位可編程控制open-drain I/OS(P1<7:4>,P1<2:0>) 11位可編程控制pull-low I/OS(P1<7:4>,P1<2:0>,P0<3:0>) |
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○ | 指令周期長(zhǎng)度選擇(zé):2/4/8個振蕩時鍾 | ○ | 封裝(zhuāng)形式:SFM8P154BACO(SOP14)、 SFM8P154BACP(DIP14) |
芯片(piàn)框圖
産(chǎn)品中心
應用方案
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