SFM8P1102/SFM8P1102B

芯片描述


SFM8P1102 是一個基于CMOS 技術的 8 位微控制器，其核心是一個嵌入式的8位 CPU ， 片内包含80×8Bit 的(de)SRAM，2k×16Bit OTP ROM，18 個輸入/輸出口（P21 爲開漏輸出）、中斷控(kòng)制器、片内RC 振蕩器、内部晶體振蕩器、定時(shí)器/計數器、看門狗電路、低壓檢測電路、數模轉換電路、比較器/運放電路、脈寬調(diào)制電路。它是一個功能強大的微控制電路。主要應用于移動電源、高(gāo)端智能充電器、電動車主控闆(pǎn)等。

芯片(piàn)特點

○ 2k×16-bit OTP ROM   ○ 80×8-bit SRAM
○ 8 級(jí)堆棧空間   ○ 可編(biān)程 WDT 預分頻器
○ 可編程 WDT 時間（4.5ms、18ms），可控(kòng)制 WDT 自(zì)由運(yùn)行時間   ○ 帶信号源選(xuǎn)擇、觸發沿選擇、溢出中斷及(jí)預分頻器(qì)的 8 位實時時鍾/計數（TCC）
○ 工(gōng)作電壓範圍：2.1V~5.5V（-0℃～70℃）2.3V~5.5V（-40℃～85℃）   ○ 工(gōng)作頻(pín)率範圍（2 分頻）：
晶振模式：DC~16MHz，4.5V；DC~8MHz，3V； DC~4MHz，2.1V
ERC 模式：DC~2MHz，2.1V
IRC 模式：16MHz，4MHz，1MHz，8MHz
○ 系(xì)統高(gāo)低頻率(lǜ)的界限(xiàn)是 400kHz   ○ 低功耗：
小于 1.5mA（4MHz/5V） 典型 15A  （32kHz/3V）
典型 2A（睡眠模式，WDT 關閉，LVD 關閉）
○ 内置 RC 振蕩電路：16MHz、1MHz、4MHz、8MHz   ○ 低壓複位：4.0V±0.3V、3.5V±0.3V、2.7V±0.3V @25℃
○ 低壓檢測：4.5±0.2V、4.0±0.2V、3.3±0.2V、2.2±0.2V @25℃   ○ 中斷源：
TCC 溢出中斷 （IDLE 模式喚(huàn)醒）
外部中斷 （SLEEP/IDLE 模式喚醒）
比較器(qì)輸出狀态改變中斷 （SLEEP/IDLE 模式喚醒）
ADC 轉換完成中斷 （SLEEP /IDLE 模式喚(huàn)醒(xǐng)）
PWM1~3 周期(qī)中斷 （IDLE 模式(shì)喚醒）
PWM1~3 占空比中斷 （IDLE 模式喚醒）
P0 端口(kǒu)輸入(rù)狀态改變中斷 （SLEEP /IDLE 模式喚醒）
LVD 中斷 （SLEEP /IDLE 模式喚醒）
○ 雙向 I/O 口：
17 位可編程控制 pull-high I/OS（P1<7:0>，P0<7:0>，P20）
16 位可編程控制 open-drain I/OS（P1<7:0>，P0<7:0>）
17 位可編程控制 pull-low I/OS（P1<7:0>，P0<7:0>，P20）
14 位可編程控制 high-sink current I/OS  （P1<7:0>，P0<7:6>，P0<4:1>） 		  ○ 指(zhǐ)令周期長度(dù)選擇：2/4/8/16 個振蕩時鍾(zhōng)
○ 封裝形式：DIP/SOP/SSOP20，DIP/SOP18      

芯片框圖


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